机译:具有渐变厚度量子势垒的InGaN / GaN发光二极管中的空穴分布得到改善
机译:铟成分减少的InGaN-GaN势垒改善了InGaN发光二极管的空穴分布
机译:具有梯度组成的最后一个量子势垒且没有电子阻挡层的InGaN / GaN发光二极管的电子限制和空穴注入改善
机译:梯度厚度多量子阱可降低InGaN / GaN发光二极管的效率下降
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:具有优化的GaN势垒的InGaN / GaN多层量子点黄绿色发光二极管
机译:具有渐变厚度量子势垒的InGaN / GaN发光二极管中的空穴分布得到改善
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质